富士通研究所		 日産先進技術開発センタ
富士通研究所があります。愛甲石田４番乗り場から松蔭大学行きバス約２０分で通信研究所前です。本厚木から森の宮行きバスで約２５分です。近くには、ＮＴＴ厚木研究開発センタ（光、半導体デバイス）があります。

富士通研究所は高周波デバイスなどの研究もしているようで、平成２７年に数１０Ｇｂｐｓの高速通信を可能にする、３００ＧＨｚ帯の小型無線受信機を開発したようです。特徴は導波管やプリント基板を使わないことだそうです。

富士通研究所と富士通は、Ｗバンド（７５～１１０ＧＨｚ）で、窒化ガリウム（ＧａＮ）高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を用いた高出力電力増幅器（ＰＡ）を開発したとのことで、ＧａＮ-ＨＥＭＴの内部抵抗低減（ソース電極とドレイン電極直下に高濃度電子を発生させる柱状のＧａＮ層埋め込み）および漏洩電流低減（電子走行層の下に障壁層を配置）により、ゲート幅１ｍｍあたり４．５Ｗの出力電流密度で消費電力も従来比２６％の低消費電力化を実現したようです。このＰＡを用いると１０ｋｍで１０Ｇｂｐｓ通信が可能とのこと。平成２９年７月末にストラスブール（フランス）でのＩＣＮＳ-１２で発表されるようです。なお今回開発されたものは９４ＧＨｚ帯のＩｎＡｌＧａＮだそうです。ちなみに、従来のＡｌＧａＮ-ＨＥＭＴにインジウムを加えてＩｎＡｌＧａＮ-ＨＥＭＴとして出力電流密度を３．６Ｗ／ｍｍとしたのが平成２６年１月末にオースチン（アメリカ）でのＰＡＷＲ２０１６での発表でした。

国内では、Ｅバンド（６０～９０ＧＨｚ）のＡＳＫ（ＯＯＫ）無線機が平成２３年に制度化され、平成２６年に位相雑音キャンセル機能を有した多値ＱＡＭが導入されていますが、スマホの高速化に伴いネットワークが光ファイバでないと対応できなくなってきています。１０Ｇｂｐｓが実現されると再度無線リンクが見直されるかも知れません。


富士通の本社は東京で千葉や横須賀にも開発拠点があります川崎にも拠点があるようです。